1N5817

Die 1N5817 ist eine Schottky-Diode, die für ihre schnelle Schaltgeschwindigkeit und ihren niedrigen Durchlassspannungsabfall bekannt ist. Hier sind die wichtigsten technischen Daten:

Grundlegende Spezifikationen:

• Typ: Schottky-Gleichrichterdiode
• Maximale Sperrspannung (VRRM): 20 V
• Durchschnittlicher Durchlassstrom (IF(AV)): 1 A
• Maximaler Spitzen-Durchlass-Stoßstrom (IFSM): Typischerweise 25 A (bei 8,3 ms Halb-Sinuswelle)
• Durchlassspannungsabfall (VF): Typischerweise 0,45 V bei 1 A (bei 25 °C)
• Sperrleckstrom (IR): Typischerweise 0,1 mA bei Nenn-Sperrspannung (bei 25 °C), steigt mit der Temperatur (z.B. 10 mA bei 100 °C)
• Gehäuse: DO-41 (Axialbedrahtet)
• Maximale Sperrschichttemperatur (TJ): 150 °C
• Schaltgeschwindigkeit: Extrem schnell (geringe Sperrverzugszeit, oft im Nanosekundenbereich)
• Diodenmaterial: Silizium (SILICON)